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國內電力電子器件產業發展狀況及趨勢

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國內電力電子器件產業發展狀況及趨勢

發布日期:2017-01-14 09:23 來源:http://www.enminiatura.com 點擊:

【內蒙古鄂爾多斯電子有限公司主營SMD功率電感器、塑封繞線片式電感器、有機實芯電阻器等】我國目前已經初步建立起了包含晶閘管、IGCT、功率MOSFET、IGBT等全系列硅基電力電子器件產業,在我國國民經濟發展中發揮了重要的作用。


在超大功率(電壓3.3kV以上、容量1~45MW)領域,我國以晶閘管為代表的傳統半控型器件的技術已經成熟,水平居世界前列,5~6英寸的晶閘管產品已廣泛用于高壓直流輸電系統,并打入國際市場,形成了國際競爭力。目前我國已經研制成功7英寸晶閘管產品,并實現了IGCT產品的商業化。


在中大功率(電壓1200~6500V)和中小功率(900V以下)領域,在國家產業政策支持和國民經濟發展的推動下,我國高頻場控電力電子器件技術和產業取得了長足的進步,建立了從電子材料、芯片設計、研制、封裝、測試和應用的全產業鏈。中小功率的MOSFET芯片已產業化,批量生產的單管已在消費類電子領域得到廣泛應用,600~900V的MOSFET芯片正在開發中;600V、1200V、1700V/10~200A的IGBT芯片和600V、1200V、1700V/10~300A的 FRD芯片已進入產業化階段,3300V、4500V、6500V/32~63A的IGBT和3300V、4500V、 6500V/50~125A FRD的芯片已研發成功,并進入量產階段;IGBT模塊的封裝技術也上了一個大臺階,采用國產芯片的600V、1200V、1700V、3300V/200~3600A的IGBT模塊已經實現量產,采用國產芯片的4500V、6500V/600~1200A的IGBT模塊進入小批量的量產階段。國產品牌IGBT芯片和模塊已經形成與國際品牌競爭的態勢。


近年來,在國家各級部門的支持下,我國SiC和GaN電力電子器件實現了“從無到有”的突破,在技術研發方面有了較好的積累,個別技術水平接近國際先進水平。在SiC材料方面,國內4英寸N型SiC單晶產品已產業化,其微管密度小于1個/cm2;已經開發出了6英寸SiC單晶樣品,正在進行產業化開發;在SiC外延材料方面,國內研發出了150μm以上的SiC外延材料,20μm以下的SiC外延產品已經實現量產。在SiC器件方面,國內研發出了17kV PiN二極管芯片、3.3kV/50A SiC肖特基二極管芯片、1.2kV~3.3kV SiC MOSFET芯片、4.5kV/50A SiC JFET模塊等樣品。目前,我國已具備600V~3.3kV SiC二極管芯片量產能力, SiC MOSFET芯片產業化能力正在形成。我國有若干科研機構和企業從事GaN材料技術的開發,目前已開發出了6英寸硅基GaN晶圓材料的產品;目前我國已經具備了600~1200V平面型GaN芯片的研發能力,并具備了600V平面型GaN器件的產業化能力。綜合而言我國寬禁帶電力電子器件技術和產業水平還落后于國際先進水平。


在電力電子器件的專利方面,上個世紀90年代,我國該領域的專利主要集中于硅基功率MOSFET和IGBT。從2000年起,我國開展申請SiC和GaN電力電子器件的相關專利,2010年后,我國在該領域的專利申請數量出現明顯的增長。目前我國寬禁帶材料和器件的專利數量僅次于日本、美國和德國,居全球第四位,專利申請人以研究型的科研院所為主。


相關標簽:片式電感器

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